Safi wafer

Apèsi sou lekòl la

Eleman chimik

Al₂O₃

Metòd grandi

kyropoulos

Estrikti kristalin

egzagòn

a = b = 4.77 A

c = 13.04 A

Enèji tèmik

Pwen k ap fonn

2050 degre

Koefisyan ekspansyon lineyè

6.7 x 10-6 / degre paralèl ak aks С

5.0 x 10-6 / degre pèpandikilè ak aks С a

Koefisyan konduktiviti chalè

46.06 W/(mK) (0 degre)

Enèji mekanik

Dansite

3.98 g/cm3

Dite

mo:9

knoop: 1900 paralèl ak aks С

2200 pèpandikilè ak aks С a

Fòs rupture

400 mpa (25 degre), 275 mpa (500 degre), 345 mpa (1000 degre)

Fòs koube

450 - 895 mpa

Estrès konpresyon

2.0 gpa

Modil Young

345 gpa

Pwovizyon pou elektrik

Pèmeyabilite mayetik -medyatè elektrik

9.3 (103 - 109 Hz, 25 degre) pèpandikilè ak aks С

11.5 (103 - 109 Hz, 25 degre) paralèl ak aks С

Rezistivite

1016 Оhm·сm (25 degre)

1011 Оhm·сm (500 degre)

106 Оhm·сm (1000 degre)

Rezistans tanperati ki wo

Li fonn sèlman nan 2050 degre. chimikman inaktif nan tanperati ki wo

Solid ak dirab

grate-rezistan (tout materyèl eksepte dyaman)

segondè presyon rezistan

mete rezistans

Tolere anviwònman ki pi difisil

lavi sèvis long, egzanp senk fwa longè kwatz la

segondè pite chimik

Ranje a nan transmissions limyè soti nan iltravyolèt nan enfrawouj

80 ~ 90% nan 0.25 ~ ~ 4.50 um

Segondè konduktiviti tèmik

bay rapid chofaj ak refwadisman