Pwosesis fabrikasyon nan fim anti meditativ

Pwosesis teknolojik
Bay materyèl kwasans ak sous gaz: bay materyèl kwasans pou fim nan anti meditativ, tankou SIO nan kèk reyalizasyon, pandan y ap bay sous gaz ki koresponn a materyèl yo kwasans, tankou sih ₄, n ₂ o, ak n ₂ konbinezon sous gaz .
Formation of anti reflection layer: Use the same growth material to sequentially form at least two anti reflection layers of anti reflection film on the substrate layer. The substrate layer can include SiO layer, Si layer, and absorption layer in sequence along the direction of film growth. Taking the two-layer anti reflection layer (first anti reflection layer and second anti reflection layer) as an example, it se ki te fòme pa pwosesis kwasans epitaksyal (tankou plasma ranfòse chimik vapè metòd depozisyon pecvd) . etap sa yo espesifik yo jan sa a:
Pwosesis substrate: Apre pwosesis netwayaj semi -conducteurs sou kouch nan substrate, mete kouch nan substrate sou ekipman an depozisyon CVD .
Anviwònman Paramèt Ekipman: Kontwole tanperati a electrodes anwo nan ekipman an depozisyon CVD a 200-300 degre ak tanperati a electrodes pi ba a 250-350 degre .
Kwasans nan premye Anti Refleksyon Kouch la: Ajiste paramèt yo depozisyon premye nan ekipman an depozisyon kardyovaskulèr, ki gen ladan premye pousantaj la koule volim nan Sih ₄, N ₂ O, ak N ₂, premye presyon gaz la, premye pouvwa a RF nan ekipman an depozisyon CVD, premye tan an Film Depozisyon, elatriye {{0 10-200 nm ak yon seri endèks refraktif nan 1.4-1.71.
Growth of a second anti reflection layer: Adjust the second deposition parameters of the CVD deposition equipment, including the second volume flow rate of SiH ₄, N ₂ O, and N ₂, the second gas pressure, the second RF power of the CVD deposition equipment, the second thin film deposition time, etc., or any combination thereof, to grow a second anti reflection layer on the first anti reflection layer, with a thickness range of 10-200 nm ak yon seri endèks refraktif nan 1.4-1.71.

Avantaj teknolojik
Lè l sèvi avèk materyèl la kwasans menm, fim nan refleksyon anti ka reyalize menm efè a anti refleksyon konpare ak anpile fim anti refleksyon nan diferan materyèl, diminye ki kalite sous gaz yo itilize, bese difikilte pou la nan pwosesis la preparasyon, ak ogmante espas ki la preparasyon ak zòn k ap travay akòz depo a ak itilizasyon sous gaz pandan pwosesis la preparasyon .}

Pwosesis Faktori nan ibrid SiO ₂/Tio ₂ Anti Refleksyon Film

Pwosesis teknolojik
Preparasyon nan substrate: Chwazi substrats transparan tankou vè, vè òganik, fim poliimid, elatriye ., ak fè tretman tach retire asire yon sifas pwòp ak pousyè-gratis .
Preparasyon nan fim précurseur: tetraethoxysilane (TEOS) ak tetrabutil titanat (TBT) yo te ajoute nan etanòl ki gen NH ₄ OH nan yon pwopòsyon sèten, epi li se reyaksyon an ki te fèt pou 9-12 èdtan jwenn yon SOLI
Kouch ak geri: se sistèm nan jèl prepare prepare respire sou substrate a transparan, ak kouch vire, flite, bwose ak lòt rapid ka itilize .
Kouch sikilè: Repete pwosesis la kouch ak geri jiskaske yo vle anti meditativ efè a jwenn . diferan fwa kouch ak sekans pral afekte pèfòmans nan anti fim meditativ, ak rechèch ak optimize yo bezwen .
Tretman sifas: Pou ogmante durability a ak estabilite nan fim nan anti meditativ, yon kouch idrofil ak polymère idrofob ka kouvwi sou sifas la nan fim nan anti meditativ .

Pwosesis Faktori nan enfrawouj Anti Film Refleksyon
Pwosesis teknolojik
Se fim nan enfrawou anti refleksyon ki baze sou Silisyòm ak kouvwi ak fim anti refleksyon sou tou de bò nan substrate a . estrikti nan sistèm fim nan fim nan anti refleksyon se endepandan youn ak lòt kòm (hl) ^ s, kote h reprezante kouch la, l 'yo nan yon sèl la, epi li se yon sèl nan la. SI kouch se adjasan a substra a, epi li se kouch nan SIO ki sitiye sou sifas la . se pwosesis la kouch itilize tache kouch nan fim nan substra a, ak kouch fim Sio kòm kouch nan eksteryè, ki gen sifas segondè epi yo pa mande pou yon kouch plis pwoteksyon {{3}. transmisyon .

Pwosesis fabrikasyon nan gwo tanperati rezistan ko ₂ lazè anti fim meditativ
Pwosesis teknolojik
Materyèl pre k ap fonn: separe tretman pre k ap fonn te pote soti sou fliyò yttrium, kalsyòm yttrium fliyò, ak zenk materyèl fim Selenide yo retire enpurte andedan materyèl yo fim .
Kouch fim depozisyon: premye kouch nan fliyò yttrium, kouch fliyò kalsyòm yttrium, kouch selenide zenk, ak dezyèm kouch fliyò yttrium yo sekans depoze sou yon kouch Selenide Selenide ak yon epesè nan 35 {{{ kouch substrate . Kondisyon epesè fizik pou chak kouch yo jan sa a: epesè fizik nan premye kouch fliyò yttrium la se 95-100 nanomètr; Epesè fizik la nan kouch nan fliyò kalsyòm ytterbium se 860-870 nanomètr; Epesè fizik la nan kouch nan selenide zenk se 240-250 nanomètr; Epesè fizik dezyèm kouch fliyò yttrium la se 95-100 nanomètr.
 

Avantaj teknolojik
Manbràn nan anti -refleksyon prepare gen yon estrikti ki senp ak konsepsyon ekskiz . konbinezon an kouch kat gen karakteristik sa yo nan rezistans tanperati ki wo, transmisyon segondè, kouch manbràn fèm, estrès konplemantè ant kouch manbràn, ak ki pa kraze nan kouch manbràn {{{1} li ka satisfè operasyon yo pa t ', ki pa gen okenn bagay sa yo, epi yo pa gen okenn bagay sa yo, epi yo ka rankontre nan tout bagay sa yo, ki pa gen okenn bagay sa yo, yo ka rankontre ak sa ki pa gen okenn bagay sa yo, yo ka rankontre nan operasyon ki pa gen okenn. operatè yo ak anviwònman an .